Na której ilustracji przedstawiony jest symbol graficzny tranzystora bipolarnego z izolowaną bramką?

Poprawnie wskazany jest symbol z ilustracji 4, ponieważ przedstawia on tranzystor bipolarny z izolowaną bramką, czyli tzw. IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Charakterystyczną cechą na schemacie jest połączenie dwóch światów: po stronie mocy widać klasyczny układ jak w tranzystorze bipolarnym (kolektor C, emiter E i strzałka w nodze emitera), a po stronie sterowania – elektrodę bramki G odseparowaną od struktury mocy symbolem kondensatora. Ten „kondensator” na rysunku oznacza właśnie izolację bramki, typowo tlenkiem krzemu. W praktyce IGBT łączy zalety MOSFET-a (wysoka impedancja wejściowa, sterowanie napięciowe, małe prądy sterujące) z właściwościami tranzystora bipolarnego (duża zdolność przenoszenia mocy, małe straty w stanie przewodzenia). Dlatego takie elementy spotyka się w falownikach, przekształtnikach częstotliwości, napędach silników AC, spawarkach inwertorowych, zasilaczach dużej mocy. Z mojego doświadczenia w serwisie elektroniki mocy rozpoznanie symbolu IGBT na schemacie jest kluczowe, bo inaczej dobierze się element zamienny niż dla zwykłego MOSFET-a. Dobre praktyki mówią, żeby zawsze patrzeć na oznaczenia wyprowadzeń: G – bramka (gate), C – kolektor, E – emiter. Jeśli widzisz taki zestaw plus symbol izolacji bramki, to praktycznie na pewno masz do czynienia z IGBT, czyli właśnie tranzystorem bipolarnym z izolowaną bramką.